GE DS200ITXDG1A DS200ITXDG1AAA IGBT Q DB سنبر کارت
تفصیل
| تولید | GE |
| ماډل | DS200ITXDG1A DS200ITXDG1AAA |
| د امر کولو معلومات | DS200ITXDG1A DS200ITXDG1AAA |
| کتلاګ | سپیډټرونیک مارک وی |
| تفصیل | GE DS200ITXDG1A DS200ITXDG1AAA IGBT Q DB سنبر کارت |
| اصل | متحده ایالات (امریکا) |
| د HS کوډ | 85389091 |
| ابعاد | 16cm*16cm*12cm |
| وزن | 0.8 کیلو ګرامه |
جزیات
DS200ITXDG1A IGBT سنبر بورډ MK V عمومي بریښنا
DS200ITXDG1A د بورډ برخه ده چې د GE لخوا جوړه شوې وه ترڅو د سپیډټرونیک مارک V سیسټم کې وکارول شي.MKV د ګاز او بخار توربینونو اداره کولو لپاره د GE یو وروسته رامینځته شوی سپیډټرونیک سیسټمونو څخه دی.پدې کې د غلطو زغم TMR جوړښت شامل دی چې د جدي کنټرولونو او محافظت پیرامیټونو په اړه له دریو څخه دوه رایې ورکولو سره.
MKV د دې وړتیا لري چې د لږ پیچلي سیسټمونو لپاره په سمپلیکس فارم کې تنظیم شي، او لاهم د دې ډیزاین سره د سافټویر ترتیباتو له لارې د غلطۍ زغم کنټرول وړاندیز کوي.د MKV بورډونه د AX کنټرول څخه د بیا تنظیم شوي، بشپړ ازموینې واحدونو په توګه اخیستل کیدی شي.
DS200ITXDG1A یو کوچنی بورډ دی چې د IGBT سنبر بورډ په توګه کار کوي.سنوبرونه د انرژي جذبولو سرکټونو په توګه ډیزاین شوي چې کولی شي د ولټاژ سپکونه فشار کړي چې د سویچ خلاصیدو پرمهال پیښیږي.سویچ ممکن بریښنایی یا میخانیکي وي.دا یو مرستندویه بورډ دی چې د لوی مور بورډ سره نښلوي.
DS200ITXDG1A په هر کونج کې د ډرل سوري او د هغې په څنډو کې د کوچني انډینټ سره ډیزاین شوی.بورډ څو هیټسینکونه لري ترڅو د جوړ شوي تودوخې ګړندي تحلیل ته اجازه ورکړي.دا د سیرامیک کیپسیټرونو ، ډایډونو ، عمودی پن سرلیک نښلونکو ، او د اتو ویما FKP 1 پولی پروپیلین کیپسیټرونو لخوا د ډیری سټیب آن نښلونکو لخوا آباد شوی.
دا capacitors د لوړ نبض وظیفې لپاره ډیزاین شوي او د ځان درملنه کوي.دوی د تودوخې په پرتله خورا ټیټ تحلیل فکتور او د منفي ظرفیت بدلون لري.دا اجزا په تخته کې د تختې په مخالف اړخ کې د څلورو څخه دوه کرښو کې ایښودل شوي.
DS200ITXDG1A د بورډ برخه ده چې د GE لخوا رامینځته شوې ترڅو د سپیډټرونیک مارک V سیسټم کې وکارول شي او یو مرستندویه بورډ دی چې د لوی مور بورډ سره وصل کیږي.MKV د ګاز او بخار توربینونو اداره کولو لپاره د GE یو وروسته رامینځته شوی سپیډټرونیک سیسټمونو څخه دی.دا بورډ د غلطیو زغمونکي TMR جوړښت سره سمبال شوی چې په مهمو کنټرولونو او محافظت پیرامیټونو کې له دریو څخه دوه رایې ورکوي.دا د لږ پیچلي سیسټمونو لپاره په سمپلیکس فارم کې د تنظیم کولو وړتیا هم لري او لاهم د دې ډیزاین سره د سافټویر ترتیباتو له لارې د غلطۍ زغم کنټرول وړاندیز کوي.دا بورډ په ابتدايي توګه د IGBT سنبر بورډ په توګه کار کوي او د انرژي جذب کولو سرکټ په توګه ډیزاین شوی چې کولی شي د ولټاژ سپکونه فشار کړي چې هغه وخت پیښیږي کله چې یو سویچ خلاص شي که چیرې دا سویچ بریښنا وي یا میخانیکي وي.دا په هر کونج کې د ډریل سوراخونو سره او د هغې په څنډو کې د کوچنیو انډینټونو او همدارنګه د څو هیټسینکونو سره ډیزاین شوی ترڅو د جوړ شوي تودوخې ګړندي تحلیل ته اجازه ورکړي.
د څو سټاب-آن نښلونکو، سیرامیک کیپسیټرونو، ډایډونو، عمودی پن سرلیک نښلونکو او اتو Wima FKP 1 پولی پروپیلین کیپسیټرونو لخوا ډک شوی.capacitors د لوړ نبض دندو لپاره ډیزاین شوي، پخپله شفاهي دي او د تودوخې په پرتله د منفي ظرفیت بدلون خورا ټیټ فاکتور لري.
